SI1489EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1489EDH-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI1489 |
SI1489EDH-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1489EDH-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
VBSEMI SC88
MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
VISHAY SC70-6
SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE
N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE
VBSEMI SC70
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
2024/08/25
2024/08/24
2025/02/11
2024/12/17
SI1489EDH-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|